Мазур М. П. Оптичне випромінювання гарячими носіями заряду в кремнієвих бар'єрних структурах

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0499U002053

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-03-1999

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Об'єкт дослідження: кремнієві бар'єрні структури. Мета дослідження: з'ясування механізмів фізичних процесів, що визначають характеристики гарячої електролюмінесценції кремнієвих бар'єрних структур. Методи дослідження та апаратура: спектральні та вольт-фарадні дослідження, монохроматори, фотоприймачі. Теоретичні і практичні результати, новизна: Встановлено, що передпробійна електролюмінесценція бар' єрних структур на основі Si як n-, так і p-типу провідності має монотонний і широкосмуговий спектр випромінювання. Одержано характеристики гарячої електролюмінесценції кремнію за умов, коли збудження неосновних носіїв і рекомбінаційне випромінювання виключаються. Встановлено домінуючу роль непрямих оптичних переходів гарячих носіїв заряду. Електролюмінесцентними методами виявлено аномально малі втрати енергії гарячими носіями в бар'єрній області. Гаряча електролюмінесценція кремнію може бути використана в системах безконтактного контролю багатокомпонентних мікросхем. Ступінь упровадження: планується. Сфера (галузь) використання: мікро- та оптоелектроніка.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах