Боркач Є. І. Електронно-мікроскопічні дслідження впливу умов отримання на будову складних халькогенідних стекол

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0499U002232

Облікова картка дисертації

0499U002232.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

02-09-1999

Спеціалізована вчена рада

К61.051.01

Анотація

Електронно-мікроскопічними методами досліджено вплив варіації температури ізотермічної витримки та швидкості охолодження розплава на структуру склоподібних матеріалів систем As-S, As-S-I, Ge-As-S, Ge-As-Te, Ge-As-S(Se)-I. Встановлено мікроструктурні типи. Зміни ближнього та середнього порядків склоподібного As2S3 пояснюються накопиченням замкнених структурних фрагментів, які містять цис-орієнтовані структурні одиниці AsS3/2. Мікроструктуру поверхні стекол. Халькогенідне скло, трисульфід миш'яку, синтез, електронна мікроскопія, структура.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах