Мороз І. Є. Фононні спектри нелінійнооптичних кристалів LiB3O5, b-BaB2O4, Li2B4O7

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0499U002305

Облікова картка дисертації

0499U002305.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

08-09-1999

Спеціалізована вчена рада

Д35.051.09

Анотація

1.Об'єкт дослідження: Кристали класу боратів LiB3O5, b-BaB2O4, Li2B4O7. Мета дослідження: Розшифрування структури фононних спектрів. Вивчення ролі фононної підсистеми у формуванні нелінійнооптичних сприйнятливостей у боратах. Методи дослідження: ІЧ-спектроскопія, КР-спектроскопія. Теоретичні і практичні результати, новизна: Ідентифіковано структуру фононних спектрів нелінійних кристалів. Проведено оцінку типів хімзв'язків. Визначено внесок електронної і фононної компонент. Розвинуто підхід до розрахунку коливних частот складних сполук типу окислів боратів, що базується на кластерній моделі.Ступінь впровадження: Результати використовують у Львівському державному університеті імені Івана Франка при спектроскопічних дослідженнях нових нелінійнооптичних матеріалів. Сфера впровадження: Нелінійна оптика.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах