Біленька О. Б. Спектроскопія радіаційно стійких нелінійно-оптичних кристалів

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0499U003192

Облікова картка дисертації

0499U003192.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

17-11-1999

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Об'єкт дослідження: кристали b-BaB2O4 і Li2B4O7, Ca3(VO4)2, Ga. Мета дослідження: дослідження оптико-спектральних параметрів під дією потужного лазерного опромінення. Методи дослідження: спектроскопічні методи, еліпсометрія. Теоретичні і практичні результати, новизна: визначено порогові потужності лазерного опромінення і лазерні стійкості матеріалів. Розроблено еліпсометричну діагностику якості полірованих кристалічних поверхонь. Запропоновано модель багатоімпульсного лазерної руйнуванняї. Ступінь впровадження: результати використовуються у Львівському національному університеті імені Івана Франка при спектроскопічних дослідженнях нових нелінійно-оптичних матеріалів. Сфера впровадження: нелінійна оптика, лазерна фізика

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах