Пузіков В. М. Умови утворення, структура і властивості алмазоподібних плівок вуглецю, осаджених з іонних пучків

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0500U000138

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

19-04-2000

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

Об'єкт дослідження: алмазоподібні плівки вуглецю Мета дослідження: визначення механізмів утворення структур, субструктур, наноструктур і обумовлених ними особливостей електронної структури і фізичних властивостей алмазоподібних плівок вуглецю з високим вмістом sp3 фази. Методи дослідження: осаження плівок з іонних пучків, електронографія, моделювання, оптична спектроскопія, ОЖЕ-спектроскопія, Раманівська спектроскопія, еліпсометрія, електрофізичні вимірювання. Теоретичні та практичні результати, новітність: вперше запропоновано спосіб осадження плівок вуглецю з сепарованих за масою пучків іонів, що дозволило одержати плівок з високим (> 90 %) вмістом sp3 фази, забеспечити їх висоту структурну і фазову однорідність, встановити зв'язок структури, субструк-тури, фазового складу, фізичних властивостей плівок з умовами їх осадження. Запропоновані нові принципи побудови струк-турних моделей плівок з високим вмістом sp3 фази. Галузь впровадження: прилади електроніки, оптики і інформатики.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах