Мельничук О. В. Поверхневі плазмон-фононні збудження в oдновісних напівпровідниках ZnO і 6H-SiC та структурах на їх основі

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0501U000044

Облікова картка дисертації

0501U000044.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-01-2001

Спеціалізована вчена рада

Д26.199.02

Анотація

З'ясовано вплив анізотропії фононної та плазмової підсистем на властивості поверхневих фононних та плазмон-фононних поляритонів в оптично-анізотропних полярних напівпровідниках ZnO і 6H-SiC та структурах на їх основі. Досліджено процес взаємодії випромінювання з поверхнею анізотропних напівпровідників та структур на їх основі як при звичайному зовнішньому відбитті, так і в режимі збудження поверхневих поляритонів фононного та плазмон-фононного типів в області "залишкових" променів. Вперше встановлено, що ціла низка нових явищ, які спостерігаються в анізотропних кристалах (зокрема, прояв поверхневих плазмон-фононних поляритонів 2--4-го типів), є перспективними для практичного використання в напівпровідниковому матеріалознавстві та приладобудуванні.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах