Гуцул І. В. Явища електро- та теплопереносу в анізотропних напівпровідниках

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0501U000123

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

30-03-2001

Спеціалізована вчена рада

Д76.051.01

Анотація

Розв'язано кінетичне рівняння для напівпровідників типу p-Ge із врахуванням реальної структури енергетичного спектра і анізотропії розсіяння при наявності електричного і магнітного полів та градієнта температури. Досліджено температурні і польові залежності кінетичних коефіцієнтів та параметри анізотропних оптикотермоелементів при одно- і двомірному розподілах температури з врахуванням оптичного поглинання та анізотропії коефіцієнтів термоЕРС і теплопровідності.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах