Трубіцин Ю. В. Надчисті та структурно досконалі монокристали кремнію для детекторів та приймачів випромінювань

Трубіцин Ю.В. Надчисті та структурно досконалі монокристали кремнію для детекторів та приймачів випромінювань. -Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора технічних наук за спеціальністю 05.27.06 - технологія, обладнання та виробництво електронної техніки. -Херсонський державний технічний університет, Херсон, 2001. Дисертація присвячена питанням розробки технології отримання та дослідження електрофізичних параметрів надчистих та структурно досконалих монокристалів Si для детекторів та приймачів випромінювань. Захищається 46 наукових праць (26 статей, 20 винаходів) в яких побудовано та експериментально обґрунтовано завершений комплект фізичних та математичних моделей процесів для розрахунку технологічних режимів бестигельного зонного очищення та вирощування надчистих монокристалів Si з завданими електрофізичними та структурними параметрами, визначення придатності полікристалічного Si для отримання надчистих монокристалів Si , викладено результати комплексного дослідження різноманітни х джерел технологічних забруднень, обґрунтовано необхідність та реалізовано нові додаткові процеси низькотемпературної та радіаційно-термічної реабілітації електрофізичних параметрів надчистих бездислокаційних монокристалів Si та підвищення їх пружності при механічних операціях, викладено наукові та практичні засади промислових методів високо репродуктивного, високоточного та однорідного легування монокристалів Si різноманітними домішками, нейтронно-трансмутаційного та гамма-трансмутаційного легування Si . Ключові слова: полікристалічний та монокристалічний кремній, бестигельна зонна плавка, сегрегація, домішки, тип електропровідності, питомий електричний опір, час життя неврівноважених носіїв заряду, легування.