Вірт І. С. Фотоелектронні явища у структурах на основі вузькощілинних напівпровідників за наявності макродефектів та неоднорідностей

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0501U000329

Облікова картка дисертації

0501U000329.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.01 - Фізика приладів, елементів і систем

21-09-2001

Спеціалізована вчена рада

Д.35.052.12

Анотація

Подані результати досліджень матеріалів інфрачервоної оптоелектроніки і функціональних структур на основі вузькощілинних напівпровідників Hg1-xCdxTe, Hg1-xMnxTe, Hg1-x-yCdxZnyTe. Удосконалено ряд нових методик отримання як монокристалів так і плівкових структур. Запропоновані моделі процесів рекомбінації нерівноважних носіїв заряду у неоднорідних фоторезисторних матеріалах, які базуються на дифузійних явищах. Установлено основні параметри функціональних структур на базі Hg1-xCdxTe.

Читати повністю

Схожі дисертації

0421U103746

Шутилєва Ольга Вікторівна

Фазовий склад та магніторезистивні і магнітні властивості приладових структур на основі Ni і Со та Dy або Ві

0421U103438

Ополонін Олександр Дмитрович

Принципи характеризації матеріалів за ефективним атомним номером при радіографічному контролі

0521U101782

Цибрій Зіновія Федорівна

Фізико-технологічні основи розроблення HgCdTe-приймачів ІЧ та ТГц діапазонів і елементів блокування ІЧ випромінювання

0521U101665

Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна

Оптоелектронні властивості низьковимірних структур на основі вузькощілинних напівпровідників в ІЧ і ТГц діапазонах спектру

0421U102655

Єгоров Вадим Анатолійович

Підвищення метрологічних та експлуатаційних характеристик елементів та систем атомно-емісійного спектрального аналізу