Скришевський В. А. ГЕНЕРАЦІЙНО - РЕКОМБІНАЦІЙНІ ПРОЦЕСИ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ З ТОНКИМИ ШАРАМИ ПОРУВАТОГО КРЕМНІЮ ТА ОКСИДУ КРЕМНІЮ

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0501U000338

Облікова картка дисертації

0501U000338.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

15-10-2001

Спеціалізована вчена рада

Д 26.001.31

Київський національний університет імені Тараса Шевченка

Анотація

Кремнієві гетероструктури з шарами поруватого кремнію. Розробити фізичні основи роботи хімічних сенсорів та сонячних елементів. Методи- експериментальне дослідження поверх-ні, електрофізичних властивостей, аналітичні розрахунки, чисельне моделювання. Досліджено механізми електронного переносу в контактах з шарами поруватого кремнію, визначено параметри локалізованих станів та рекомбіна-ційні характеристики анодних шарів поруватого кремнію. Створено ефективні сенсори водню, сонячні елементи з селективними дифузорами, фотоприймачі. Сфера використання- напівпровід-никова мікроелектроніка, оптоелектроніка.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах