Богобоящий В. В. Формування акцепторної зони дефектами і домішками в кристалах вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0502U000157

Облікова картка дисертації

0502U000157.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

19-04-2002

Спеціалізована вчена рада

Д26.199.02

Анотація

У дисертації подано результати дослідження властивостей кристалів і епітаксійних структур вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe, пов'язаних з активними точковими дефектами і домішками. Узгоджено параметри зонної структури Hg1-xCdxTe і показано, що зона важких дірок при малих енергіях істотно непараболічна. Побудовано прецизійний оптичний метод роздільного вимірювання концентрації електронів і дірок при кімнатній температурі. Визначено константи рівноваги власних дефектів та механізми їх взаємодії при низьких температурах. Досліджено електрофізичні та фотоелектричні властивості легованих кристалів n- і p-типу при 77 К, особливості стрибкової та металічної провідності, будову та характеристики акцепторної зони кристалів p-Hg1-xCdxTe. Вивчено взаємовплив підкладки й епітаксійного шару Hg1-xCdxTe. Запропоновано новий напрямок застосування варізонних структур p-Hg1-xCdxTe.

Читати повністю

Файли

aref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах