Євтух А. А. Тунельна інжекція та емісія електронів в шаруватих напівпровідникових структурах на кремнії.

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0504U000167

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-03-2004

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.02

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

Досліджені процеси тунельної інжекції в тверде тіло та тунельної емісії електронів в вакуум в шаруватих структурах на кремнії. Встановлено основні закономірності тунельного проходження електронів через надтонкі плівки двоокису кремнію і алмазоподібні вуглецеві плівки, шаруваті структури з дельта-легованими та нанокомпозитними плівками. Виявлено суттєвий вплив величини вбудованого в SiO2 заряду, типу і рівня легування алмазоподібних вуглецевих плівок та вмісту в них sp3 фази, наявності структур з дельта-легованими та нанокомпозитними плівками на характер енергетичної зонної діаграми та процеси тунельного переносу електронів. Показано перспективність застосування таких структур в приладах субмікроннї мікро-та наноелектроніки, як твердотільної, так і вакуумної.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах