Гасан-заде С. Г. Електронні явища в вузькощілинних та безщілинних напівпровідникових сполуках за умов регулювання параметрами енергетичної структури

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0504U000220

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-04-2004

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.02

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

У дисертації подано результати дослідження закономірностей змін і особливостей нерівноважних процесів, механізмів рекомбінації та фото- і електрофізичних властивостей вузькощілинних (ВН) та безщілинних (БН) напівпровідників, що відбуваються внаслідок перебудови енергетичної структури під впливом пружної одноосьової деформації ОД, магнітного поля Н, або пасивації поверхні анодним окислом. З'ясовано причини і пояснено низку вперше отриманих експериментальних результатів, серед яких найважливіші наступні: перехід метал-діелектрик-метал в БН CdxHg1-xTe (КРТ) з х"0.16 під впливом ОД, різке зростання надвисокочастотної (мм) фоточутливості БН КРТ при розкритті енергетичної щілини ОД чи Н, електромагнітне випромінювання (("100 мкм) стимульованого типу із одноосьово напружених БН КРТ (х"0.14), різкі зміни часу життя носіїв струму і багаторазове підвищення квантового виходу рекомбінаційного випромінювання із ВН внаслідок змін рекомбінаційних механізмів під дією ОД. Доведена можливість суттєвого підвищення фоточутливості кубічних ВН і застосування їх як ефективних джерел випромінювання в інфрачервоному діапазоні.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах