Кунець В. П. Еволюція фізичних властивостей напівпровідників АIIВVI гексагональної сингонії при переході до розмірів квантових масштабів

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0504U000313

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

28-05-2004

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.02

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

Дисертація присвячена вирішенню проблеми еволюції фізичних властивостей широкозонних напівпровідників АIIВVI гексагональної сингонії при зменшенні їх розмірів до квантових масштабів (~lD- довжини хвилі де-Бройля елек-трона провід-ності в ма-сив-ному кристалі). Методами оптичної спектроскопії досліджено зако-номірності еволюції електронного енергетичного спектра квантових точок CdSXSe1-X, синтезованих у матриці боросилікатного скла, при зменшенні їх середнього радіуса від ~10.0 нм до ~1.5-2.0 нм. В порів-нянні з даними для масивних кристалів з'ясовано: вплив ефектів розмірного квантування руху електронів і дірок, кулонівської взаємодії, поляризаційних та поляронних ефектів, анізотропії ефективних мас дірок, динамічної і статичної невпорядкованостей кристалічної гратки; особливості електрон-фононної взаємодії, природу акцепторних станів, причини і механізм деградації домішково-дефектної фотолюмінесценції, роль гідрогенізації поверхні квантових точок у збільшенні квантового виходу екситонної фотолюмінесценції. Досліджено ефекти поляризаційного самовпливу оптичних хвиль при насиченні поглинання в масивних кристалах та квантових точках. На основі встановлених закономірностей запропоновано і обгрунтовано оптичні методи визначення фізичних параметрів квантових точок.

Файли

aref_doc--AV_1.DOC

aref_doc--AV_2.DOC

aref_doc--AV_3.DOC

aref_doc--Av_4.doc

dis_doc--g1--111ENSTR.DOC

dis_doc--g1--112_113.DOC

dis_doc--g1--114_116.DOC

dis_doc--g1--121cryst_.doc

dis_doc--g1--122VALEN.DOC

dis_doc--g1--123_SELE.DOC

dis_doc--g1--13_TENDE.DOC

dis_doc--g2--21_TEM.DOC

dis_doc--g2--22_PRESS.DOC

dis_doc--g2--23_MEFF.DOC

dis_doc--g2--241_MOD.DOC

dis_doc--g2--242EVO_1.DOC

dis_doc--g2--242EVO_2.DOC

dis_doc--g2--243ABS_A.DOC

dis_doc--g2--243ABS_B.DOC

dis_doc--g2--243ABS_C.DOC

dis_doc--g2--244_ZNCD.DOC

dis_doc--g2--25_siox.doc

dis_doc--g2--26_NONPA.DOC

dis_doc--g2--VYSN.DOC

dis_doc--g2--page_60.doc

dis_doc--g3--31VSTUP.DOC

dis_doc--g3--32_PHONO.DOC

dis_doc--g3--331UR1.DOC

dis_doc--g3--331UR2.DOC

dis_doc--g3--331UR3.DOC

dis_doc--g3--331UR4.DOC

dis_doc--g3--331UR5.DOC

dis_doc--g3--331UR6.DOC

dis_doc--g3--331ur5t.doc

dis_doc--g3--332_LUMI.DOC

dis_doc--g3--34_EGT_A.DOC

dis_doc--g3--34_EGT_B.DOC

dis_doc--g3--35_POLAR.DOC

dis_doc--g3--36_CONCL.DOC

dis_doc--g4--41VSTUP.DOC

dis_doc--g4--421NATUR.DOC

dis_doc--g4--422CONFI.DOC

dis_doc--g4--423COULO.DOC

dis_doc--g4--431HEAT1.DOC

dis_doc--g4--431heat2.doc

dis_doc--g4--432MOD_A.DOC

dis_doc--g4--432MOD_B.DOC

dis_doc--g4--433_HYDR.DOC

dis_doc--g4--45_ZAPYS.DOC

dis_doc--g4--46_VYSNO.DOC

dis_doc--g5--50VS_NEW.DOC

dis_doc--g5--51A_MET.DOC

dis_doc--g5--52_RASPR.DOC

dis_doc--g5--53_SAT_A.DOC

dis_doc--g5--53_SAT_B.DOC

dis_doc--g5--53_SAT_C.DOC

dis_doc--g5--54_ABSAT.DOC

dis_doc--g5--551_POR.DOC

dis_doc--g5--552_SELF.DOC

dis_doc--g5--56_SELFA.DOC

dis_doc--g5--57_FILM.DOC

dis_doc--g5--58_VYSN.DOC

dis_doc--g6--61_PROBL.DOC

dis_doc--g6--621_RA_1.DOC

dis_doc--g6--621_RA_2.DOC

dis_doc--g6--622_CONF.DOC

dis_doc--g6--623_TAU.DOC

dis_doc--g6--63_COMP.DOC

dis_doc--g6--64_CHA_1.DOC

dis_doc--g6--64_CHA_2.DOC

dis_doc--g6--64_CHA_3.DOC

dis_doc--g6--64_CHA_4.DOC

dis_doc--g6--65_otzig_.doc

dis_doc--vstup--Vstup_n_.doc

dis_doc--vstup--ZMIST_.DOC

dis_doc--vusnovku--CONCLUS.DOC

dis_doc--vusnovku--DODAT_1.DOC

dis_doc--vusnovku--DODAT_2.DOC

dis_doc--vusnovku--LIT_NEW.DOC

dis_doc--vusnovku--THANKS.DOC

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах