Гомоннай О. В. Індуковані високоенергетичним опроміненням ефекти у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках

Об'єкт дослідження: явища й ефекти індукованого структурного розупорядкування в об'ємних напівпровідниках та квантово-розмірні ефекти в оптичних спектрах нанокристалів. Мета дослідження: встановлення основних закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості фосфідних і халькогенідних напівпровідників, зокрема і нанокристалів, а також вивчення фізичних процесів, що відбуваються в них під дією високоенергетичного електронного опромінення. Методи дослідження: оптичні, рентгеноструктурні, електронно-мікроскопічні. Наукова новизна результатів: встановлено закономірності індукованих високоенергетичним електронним опроміненням проявів розупорядкування в динаміці гратки, процесах оптичного поглинання та випромінювальної рекомбінації кристалів GaP і CdS1-xSex. Виявлено обумовлені впливом зовнішніх факторів нові ефекти в процесах оптичного поглинання нанокристалів Cds1-xSex, вкраплених у боросилікатну матрицю. Встановлено особливості та закономірності фононних спектрів напівпровідникових нанокристалів на основі халькогенідів (CdS1-xSex, Sn2P2S6, SbSI). З'ясовано ефекти впливу електронного опромінення та розмірного фактору на сегнетоелектричний фазовий перехід у кристалах типу Sn2P2S6. Ступінь впровадження: планується. Сфера (галузь) використання: оптичне та напівпровідникове приладобудування, наноелектроніка.