Власкіна С. І. Монокристалічні плівки SiC на чужорідних підкладках, їх структурні та електро-оптичні властивості

Дисертація присвячена розробці фізико-технологічних методів одержання монокристалічних плівок карбіду кремнію на чужорідних підкладках та дослідженню їх структурних та електрофізичних властивостей під задачі оптоелектроніки. В роботі розглянуто процеси росту плівок на кремнієвих підкладках, на металічних і діелектричних підкладках, на полімерних підкладках і розроблені різні технології осадження плівок карбіду кремнію, такі як: хімічний метод (CVD), плазмохімічний метод, метод лазерного напилювання, катодний і магнетронний методи, сублімаційний метод у вакуумі. Ці дослідження дозволили вперше у світі отримати монокристалічні плівки карбіду кремнію на кремнієвих підкладках. Встановлені закономірності росту плівок на монокристалічні підкладки з великою розугоджненістю параметрів гратки. Досліджені можливості і особливості фазових перетворень в монокристалічних плівках карбіду кремнію. Вивчені закономірності утворення власних та домішкових дефектів в монокристалічних плівках. Розроблена технологія одержання плівок р- та п-типів провідності при низьких (не більше 2500С) температурах, вивчена можливість отримання мікрокристалічної фази в аморфних плівках карбіду кремнію, запропонована схема випромінювальних переходів в аморфних гідрогенізованих плівках. Ключові слова: оптоелектроніка, карбід кремнію, тонкі плівки.