Кудін А. П. Фізичні властивості і дефекти структури бінарних фосфідів А2В52 і А3В5

Дисертація присвячена вивченню фізичних процесів, які протікають у бінарних фосфідах А2В52 і А3В5 при опроміненні швидкими частинками та розробці способів керування структурою кристалів і їхніми властивостями. До кожної досліджуваної сполуки застосовувався комплексний підхід, що включав: розробку технології отримання кристалів із заданими параметрами (структурою, формою, типом провідності, рівнем легування та ін.); структурні дослідження (рентгенографічні, гоніометричні, мас-спектрометричні, комп'ютерна візуалізація, метод ЕПР-зонда, анігіляція позитронів); вивчення фізичних властивостей (мікромеханічних, електричних, оптичних, люмінес-центних та ін.). На основі отриманих результатів розроблялись способи виготовлення нових приладів та покращення параметрів існуючих структур. У дисертації запропоновані технологічні способи керування особливостями структури кристалів А2В52 (типом структури, надґратками, габітусом, двійни-куванням і ін.); розроблена концепція будови основних біографічних і радіаційних дефектів структури у кристалах А2В52; вивчені механізми термічної і радіаційної модифікації структури ґратки і дефектів у бінарних фосфідах; визначена роль азоту і кисню у процесах радіаційного дефектоутворення. Застосування комбінованих обробок дало можливість розробити способи виготовлення сенсорів, гетеро-структур та інших приладів на базі кристалів А2В52, а також способи покращення квантового виходу світлодіодів на основі фосфіду галію.