Шварц Ю. М. Фізичні основи напівпровідникових приладів екстремальної електроніки

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0504U000692

Облікова картка дисертації

0504U000692.pdf

Здобувач

Шварц Юрій Михайлович

Спеціальність

01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

Дата захисту

24-12-2004

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.02

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

У дисертації представлено результати комплексних досліджень основних закономірностей і особливостей у змінах структурних, електрофізичних, термо-, магніто- і тензорезистивних властивостей сильно легованих сильно компенсованих гетероепітаксійних плівок Ge. Враховано перебудови їх енергетичної структури під впливом границі розділу Ge-GaAs і внутрішніх механічних напружень в умовах впливу температури, деформації і магнітного поля. Встановлено взаємозв'язок електрофізичних та теплофізичних властивостей з конструктивно-технологічними параметрами і термометричними характеристиками сильного легованих p-n-структур Si з урахуванням зміни домінуючих механізмів струмопереносу в умовах впливу температури, електричного поля і радіації. Фізично обґрунтовані і реалізовані нові типи мікроелектронних приладів для екстремальної електроніки.

Читати повністю

Офіційні опоненти

Лисенко Володимир Сергійович
Третяк Олег Васильович
Литовченко Петро Григорович

Файли

REFERAT--aref_shwarts1.doc

REFERAT--aref_shwarts2.doc

Дисертація_Шварц--Gl_1.doc

Дисертація_Шварц--Gl_2.doc

Дисертація_Шварц--Gl_3.doc

Дисертація_Шварц--Gl_4.doc

Дисертація_Шварц--Gl_5.doc

Дисертація_Шварц--Gl_6.doc

Дисертація_Шварц--Gl_7.doc

Дисертація_Шварц--ВЫВОДЫ.doc

Дисертація_Шварц--Литература.doc

Дисертація_Шварц--Тit+Sod+VVED.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах