Тимофєєв В. І. Моделювання субмікронних компонентів інтегральних схем на сполуках AIIIBV

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0505U000082

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.01 - Твердотільна електроніка

07-02-2005

Спеціалізована вчена рада

Д 26.002.08

Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" Інститут енергозбереження та енергоменеджменту

Анотація

Проведені комплексні дослідження фізичних ефектів і процесів у субмікронних інтегральних структурах на основі з'єднань AIIIBV для інтегральних схем із субмікронними розмірами областей активних компонентів і розроблено широкий спектр моделей приладів на основі напівпровідників AIIIBV і їх сполук, включаючи гетероструктури, з урахуванням субмікронних ефектів. З єдиних позицій проаналізовані, узагальнені і сформульовані фізичні особливості й ефекти, властиві субмікронним структурам з розмірами, порівнянними з довжиною вільного пробігу електронів, обґрунтований і створений ієрархічний ряд математичних моделей різного рівня, визначені функціональні особливості субмікронних приладів і умови застосовності їх моделей до завдань адаптивного проектування.

Файли

Схожі дисертації