Стадник В. Й. Баричні зміни рефрактивних параметрів діелектричних кристалів

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0506U000065

Облікова картка дисертації

0506U000065.pdf

Здобувач

Стадник Василь Йосифович

Спеціальність

01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

Дата захисту

11-01-2006

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Вивчено спектральні і температурні залежності показників заломлення, двопроменезаломлення і п'єзооптичних констант механічно вільних і затиснутих одновісними тисками діелектричних кристалів, що володіють інверсією знака двопроменезаломлення (ІЗД) та фазовими переходами; розраховано параметри ефективних ультрафіолетових і інфрачервоних осциляторів, електронної поляризовності та рефракції. Вперше одержано два нових кристали RbNH4SO4 та RbКSO4, що володіють ІЗД, визначено їхню просторову симетрію і координати важких атомів, виявлено ФП, запропоновано їхній механізм. Показано, що в точці ІЗД підвищується симетрія тензора п'єзооптичних констант (IV ранг). Показано, що одновісний механічний тиск приводить до зміщення точок ФП у бік вищих чи нижчих температур. Побудовано температурно-спектрально-баричні діаграми ізотоп-ного стану кристалів та розглянуто можливості їхнього практичного застосування як кристалооптичні датчики температури і тиску.

Читати повністю

Керівник роботи

Романюк Микола Олексійович

Офіційні опоненти

Кудзін Аркадій Юрійович
Сливка Олександр Георгійович
Половинко Ігор Іванович

Файли

aref.doc

doctor.doc

dysert_Stadnyk2.PDF

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах