Хіврич В. І. Ефекти компенсації у напівпровідниках та сенсора радіації на цій основі

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0506U000158

Облікова картка дисертації

0506U000158.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-02-2006

Спеціалізована вчена рада

Д 41.051.01

Одеський національний університет імені І.І.Мечникова

Анотація

Дисертація присвячена вивченню та практичному використанню закономірностей впливу компенсації, яка змінювалась за рахунок стехіометрії або опромінення різними видами радіації, на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників та сенсорів на їх основі. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe виявлено всі закономірності, передбачувані теорією, і показано, що такі кристали можуть служити моделлю аморфного напівпровідника. Показано, що опроміненням g-фотонами Co60 можна значно розкомпенсувати кристали і зробити їх придатними для виготовлення спетрометрів ядерних випромінювань. Вивчено вплив g-опромінення невеликими дозами на кристали CdS, ZnSe, ZnSe<Te>, Si p-типу і виявлено покращання їх електрофізичних характеристик, а в тестових Si0.75Ge0.25/Si гетерострук-турах досягнуто повної релаксації механічних напруг. Спостережено також покращання параметрів на пластинах Si і на діодних структурах після опромінення невеликими флюенсами швидких нейтронів. Виявлена підвищена радіаційна стійкість нейтронно-легованого кремнію, яка обумовлена стоками радіаційного походження. На основі білякрайового поглинання в Si запропоновано техно-логічний дозиметр швидких нейтронів для флюенсів ?1015 н/cм2. Компенсація електропровідности в надчистому n-Si стала основою розробки аварійного дозиметра нейтронів, а удосконалений МОН-транзистор - аварійним g-дозиметром.

Читати повністю

Файли

1_Rozdil.doc

2.1_Rozdil.doc

2.2_Rozdil.doc

3.1_Rozdil.doc

3.2_Rozdil.doc

3.3_Rozdil.doc

3.4_Rozdil.doc

4_Rozdil.doc

5.1_Rozdil.DOC

5.2_Rozdil.doc

5.3_Rozdil.doc

6_Rozdil.doc

Appendix.doc

Avtoreferat--Avtoreferat.doc

Avtoreferat--Cover.doc

Avtoreferat--Fig1.doc

Avtoreferat--Fig10.doc

Avtoreferat--Fig11.doc

Avtoreferat--Fig12.doc

Avtoreferat--Fig13.doc

Avtoreferat--Fig14.doc

Avtoreferat--Fig15.doc

Avtoreferat--Fig16.doc

Avtoreferat--Fig2.doc

Avtoreferat--Fig3.doc

Avtoreferat--Fig4.doc

Avtoreferat--Fig5.doc

Avtoreferat--Fig6.doc

Avtoreferat--Fig7.doc

Avtoreferat--Fig8.doc

Avtoreferat--Fig9.doc

Avtoreferat--Table.doc

Avtoreferat--manuscript.doc

Avtoreferat--signature.bmp

Conclusion.doc

Cover.doc

Introduction.doc

Literat_1_3.doc

Literat_4_6.doc

Table_3.1.DOC

Table_3.2.doc

Table_3.6.doc

Zmist.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах