Кушнір О. С. Кристалооптичні властивості просторово модульованих і дихроїчних матеріалів

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0506U000271

Облікова картка дисертації

0506U000271.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

12-04-2006

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Досліджено закономірності впливу модуляції структури на анізотропію діелектриків і напівпровідників та його вияви в температурній і спектральній поведінці характеристик оптичної анізотропії. Експериментально і теоретично вивчено прояви модуляції різних типів (у т.ч. багатошарові та синусоїдально модульовані структури) у вимірюваних параметрах оптичної анізотропії і спектрах оптичного пропускання анізотропних матеріалів. Проаналізовано просторово нелокальний відгук модульованих діелектриків і явища синхронізму (квазісинхронізму) хвиль у багатошарових структурах і напівпровідниках з "ізотропною точкою". З'ясовано характеристики вузькосмугових спектральних фільтрів на їхній основі. Сфера впровадження - оптоелектронне матеріалознавство.

Читати повністю

Файли

Aref.pdf

dis.pdf

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах