Хандожко О. Г. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0506U000425

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-06-2006

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

За концентраційними залежностями зсуву Найта та ширини ліній ЯМР знайдені критичні точки зонного спектра в PbTe і SnTe, які пов'язуються із зміною топології поверхні Фермі. Перетворення в системі домішок і власних точкових дефектів досліджено в пластично деформованих зразках PbTe:Mn і PbTe:Gd. Висока рухливість домішкових іонів Li виявлена в PbTe, SnTe, GaSe. Установлено, що тривимірне та двовимірне впорядкування реалізується в легованих кристалах InSe:Mn.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах