Іжнін І. І. Модифікація властивостей вузькощілинних твердих розчинів CdxHg1-xTe при іонному травленні.

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0507U000291

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-04-2007

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

У дисертації подано результати досліджень впливу низькоенергетичних йонів (Ar+) під час йонного травлення на властивості монокристалів, епітаксійних шарів та гетероструктур із широкозонними захисними шарами вузькощілинного p-CdxHg1-xTe. Встановлено дифузійний механізм формування під час йонного травлення джерела дифузії ртуті з високою концентрацією та дифузійний характер розповсюдження фронту конверсії, природу залежності глибини конверсії від складу матеріалу і температури зразка, вплив широкозонних захисних шарів на глибину конверсії. Обґрунтовано механізми конверсії типу провідності в легованому акцепторними домішками As, Sb, Cu, Ag, Au р-CdxHg1-xTe. Встановлено механізми релаксації електричних параметрів конвертованих шарів та з'ясовані питання їхньої температурної стабільності.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах