Большакова І. А. Радіаційностійкі сенсори магнітного поля на основі напівпровідників А3В5 для умов жорсткого випромінювання

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0507U000393

Облікова картка дисертації

0507U000393.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.01 - Твердотільна електроніка

15-06-2007

Спеціалізована вчена рада

Д 35.052.12

Національний університет "Львівська політехніка"

Анотація

Дисертацію присвячено проблемі створення нового покоління напівпровідникових сенсорів магнітного поля для жорстких радіаційних умов експлуатації. Основна концепція базується на комплексі, який охоплює створення радіаційностійких напівпровідникових матеріалів А3В5 для сенсорів магнітного поля, конструктивні рішення тонкоплівкових структур для покращення характеристик сенсорів, алгоритми самодіагностики сенсорів та їх in-situ калібрування в радіаційних умовах експлуатації.

Читати повністю

Файли

autoreferat--autoreferat_text_final.doc

autoreferat--autoreferat_titulka.doc

dissertation--Disertation_Bolshakova.pdf

Схожі дисертації

0424U000066

Гайдучок Володимир Григорович

Формування тонкоплівкових структур на полярних гранях кристалів LiNbO3

0421U103991

Галочкін Олександр Вікторович

Розробка радіаційно-стійких фотоструктур на основі напівпровідників А2В6 та А23В36

0421U103665

Воронько Андрій Олександрович

Гетероструктури на основі твердих розчинів А3В5 для волоконно-оптичних систем передачі інформації.

0421U103580

Королевич Любомир Миколайович

Обґрунтування вибору діелектрика та дослідження плівок діоксиду церію для МДН-структур

0421U103444

Пристай Тарас Віталійович

Модифікація властивостей холестеричних рідких кристалів нанодомішками для використання в оптичних сенсорах