Сльотов М. М. Механізми люмінесценції в дифузійних шарах широкозонних II-VI напівпровідників.

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0507U000468

Облікова картка дисертації

0507U000468.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-06-2007

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Виготовлено дифузійні шари р-типу провідності з стабільною у часі кубічною чи гексагональною структурною модифікацією. Отримано ефективну і температурно стабільну люмінесценцію у широкій спектральній області, яка визначається міжзонною, домінуючою екситонною, а також за участю простих центрів і їх донорно-акцепторних пар випромінювальними рекомбінаціями. На основі гетероструктур виготовлено лабораторні зразки сенсорів оптичного випромінювання і модулятора фотолюмінесценції.

Читати повністю

Файли

Diser.doc

aref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах