Жмурін П. М. Природа центрів активації в об'ємних і нанорозмірних кристалах оксиортосилікатів (Y,Gd,Lu)2-xSiO5:(Pr3+, Ce3+)x.

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0507U000699

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

21-11-2007

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

Вирішено проблему встановлення механізмів модифікації оптичних властивостей рідкісноземельних центрів активації діелектричних кристалів і нанокристалів під дією міжцентрової взаємодії і просторового обмеження. Показано, що основний вплив просторового обмеження кристалів на оптичні властивості рідкісноземельних домішкових центрів відбувається за рахунок модифікації фононної підсистеми нанокристала і формування більш симетричних кристалічних структур для нанокристалів.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах