Катеринчук В. М. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0508U000525

Облікова картка дисертації

0508U000525.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-09-2008

Спеціалізована вчена рада

Д76.051.01

Анотація

Представлено результати досліджень гетеропереходів (ГП) з неузгодженими ґратками на основі шаруватих кристалів GaSe, InSe і інших. Показано, що ГП мають високі діодні якості, а їх фотоелектричні параметри можуть бути змінені і поліпшені завдяки використанню тандемної системи наноструктурована плівка-ГП, тунельних діелектриків на гетеромежі, вироджених оксидів в парі з напівпровідником, різної кристалографічної локалізації p-n-переходу, високоенергетичного опромінення.

Читати повністю

Файли

Dis_Katerynchuk.doc

aref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах