Крамар В. М. Теорія спектрів квазічастинок у масивних і квазідвовимірних напівпровідникових кристалічних структурах

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0510U000334

Облікова картка дисертації

0510U000334.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-04-2010

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Наведено результати теоретичного дослідження спектрів квазічастинок, що взаємодіють між собою, з класичними і квантованими полями у три- та квазідвовимірних напівпровідникових структурах. Установлено вплив різних взаємодій на оптичні властивості середовищ, перспективних з погляду потреб сучасної оптоелектроніки. Установлено можливість реалізації оптичної бістабільності у спектрах екситонного поглинання молекулярних і шаруватих кристалів та способи зовнішнього впливу на умови її спостереження. Досліджено залежність енергії електрона, дірки й екситону у напівпровідникових наноплівках від їх товщини і температури. Обчислено внесок двофононних процесів електрон-фононної взаємодії у перенормування енергії електрона.

Читати повністю

Файли

KramarVM_Doct_Dys_2010.doc

KramarVM_Dys_Aref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах