Кулініч О. А. Дефектоутворення в шаруватих структурах діоксид кремнію кремній та метал-кремній

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0510U000474

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

21-05-2010

Спеціалізована вчена рада

Д 41.051.01

Одеський національний університет імені І.І.Мечникова

Анотація

Дисертаційна робота присвячена з'ясуванню закономірностей процессів дефектоутворення в шаруватих структурах діоксид кремнію-кремній і метал-кремній і приладних системах на їх основі, встановленню механізмів впливу дефектів на електрофізичні характеристики, моделюванню процесів струмоперенесення в цих структурах та системах. За допомогою теоретичних та експериментальних методів сучасних досліджень встановлено властивості та запропоновано топологічну модель реальної МОН-структури, яка основана на дослідженні механізма утворення пластичної деформації на межі поділу діоксид кремнію-кремній, що призводить до виникнення дефектів в перехідної області кремнію.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах