Товстюк Н. К. Мікроскопічна теорія електронних властивостей напівпровідникових кристалів та інтеркальованих структур

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0510U000786

Облікова картка дисертації

0510U000786.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-10-2010

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

На основі дослідження густини електронних станів інтеркалянта та кристалічної матриці в рамках запропонованої в дисертації однодомішкової моделі, а також моделі віртуального кристала, дано інтерпретацію оптичних та термодинамічних властивостей інтеркальованого шаруватого кристала. Виявлено осцилюючий знакозмінний характер екранованого кулонівського потенціалу від відстані у шаруватих кристалах з вузькою дозволеною зоною (у поперечному напрямку) та непараболічним законом дисперсії. Дано модельний опис термодинаміки утворення окисних шарів на поверхні кристала типу GaSe, та виявлено умови, при яких виникає структурний перехід у системі In-Se.

Читати повністю

Файли

aref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах