Товстюк К. К. Багаточастинкова взаємодія у формалізмі подвійних перестановок та її прояв у шаруватих напівпровідниках

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0510U000885

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

10-12-2010

Спеціалізована вчена рада

Д 61.051.01

ДВНЗ "Ужгородський національний університет"

Анотація

У дисертації розроблено новий формалізм зображення одночастинкової причинної функції Гріна за допомогою груп перестановок. Створено прямий метод знаходження доданків масового оператора електронів, що взаємодіють між собою та взаємодіють із фононами при T=0. Доведено вирази для отримання лише топологічно нееквівалентним діаграмам. Для шаруватих yfівпровідників визначено дублети Давидова у енергіях носіїв струму та встановлено їх топології для різних напрямків зони Бріллюена. Розраховано масові оператори екситонів (із попереднім встановленням їх енергетичного спектра, отриманого із модифікованого у роботі рівняння Ваньє) та електронів, що взаємодіють із фононами. Проаналізовано вплив можливих дисторсій структурних одиниць на електронний спектр.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах