Космина М. Б. Технології отримання оксидних монокристалів і елементів для лазерної, сцинтиляційної техніки і пристроїв оптичного запису інформації

Розроблена технологія вирощування композиційно-легованих монокристалів Y3Al5O12:Nd:Cr,Ce і виготовлення активних лазерних елементів для широкого застосування в лазерній техніці. Нова технологія вирощування кристалів Y3Al5O12:Nd:Cr,Ce впроваджена в промисловому виробництві. Розроблена технологія вирощування нових легованих кристалів вольфраматів і молібдатов свинцю для ВКР - лазерів, що працюють в діапазоні 1,2-1,5 мкм. Запропоновані нові принципи і підходи в легуванні різними елементами кристалів широкого класу оксидних кристалів дали можливість: для складнолегованих лазерних кристалів - підвищення потужності випромінювання, стійкості до ресурсних випробувань, розширення частотного діапазону, для сцинтиляційних кристалів - підвищення світловиходу кристалів, для антиферомагнітних гранатів - розширення діапазону існування фотоіндукованих ефектів до кімнатних температур. Розроблена технологія вирощування крупних монокристалів вольфрамату кадмію CdWO4 і вольфрамату свинцю PbWO4. На їх основі створені сцинтиляційні детектори для портативних гамма-спектрометрів, радіаційних моніторів, електромагнітних калориметрів. Створена система детектування гамма-випромінювання для спектрометра випромінювання людини. Вперше вирощені методом Чохральського нові монокристали CdLa2(WO4)4. Досліджена їх структура і вивчені спектрально-люмінесцентні властивості. Вперше вирощена серія нових складів монокристалів антиферомагнітних гранатів Ca3Ga2-xMnxGe3O12, в яких виявлені фотоіндуковані поглинання світла і дихроїзм при кімнатній температурі, що відкриває можливість використання цих матеріалів для оптичного запису інформації.