Оліх Я. М. Акустостимульовані явища у напівпровідникових реальних кристалах ( А2В6 , А3В5, Ge, Si)

Дисертація присвячена дослідженню акустостимульованих (АС) змін акустичних, електрофізичних та фотоелектричних властивостей напівпровідникових кристалів (сполуки А2В6 та А3В5; кристали Si та Ge; світловипромінюючі та діодні структури ZnS:Mn, GaP) при дії ультразвуку (УЗ). В CdXHg1-XTe (х=0.17-0.23) виявлено нові динамічні АС ефекти: акустопровідність та інверсія типу провідності, акустополяризація, дисперсія УЗ хвиль, акустична емісія; встановлено резонансний характер взаємодії УЗ; показана можливість покращення фізичних характеристик матеріалу та їхньої стабільності. Запропоновані нові методики дослідження дефектів: динамічний акусто-холл, термоакустичний відпал, імпульсна акустопровідність. Вивчено механізми АС відновлення радіаційно пошкоджених напівпровідникових пристроїв. У радіаційно-опромінених зразках Si та Gе виявлені та ідентифіковані "акустоактивні дефекти", які характеризуються наявністю метастабільних станів; АС перехід між ними супроводжується повторно-оборотними змінами електрофізичних характеристик. Реалізовано використання УЗ в процесі йонної імплантації в кремнієві пластини та структури; виявлено низку позитивних АС ефектів при технологічних операціях виготовлення p-n переходів; проведено аналіз процесів дефектоутворення в нерівноважних умовах, викликаних одночасними йонною імплантацією та дією УЗ; показана можливість АС посилення процесів самоорганізації. Проведено узагальнену систематику АС явищ у напівпровідниках.