Ажнюк Ю. М. Оптичні прояви розмірних, композиційних і структурних трансформацій у напівпровідникових нанокристалах типу А2В6 під впливом зовнішніх факторів

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0511U000549

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-06-2011

Спеціалізована вчена рада

Д26.199.02

Анотація

Досліджено оптичні прояви розмірних, композиційних та структурних трансформацій у матрично ізольованих нанокристалах типу А2В6 під дією зовнішніх факторів. Показано, що інтенсивна термообробка веде до виштовхування міноритарного халькогену з нанокристалів CdS1-xSex у матрицю. Отримано ряди четвірних нанокристалів Cd-Zn-S-Se та Cd-S-Se-Te. Встановлено умови осадження молекулярних кластерів Se2 або Te2 як альтернативи формуванню в боросилікатному склі нанокристалів А2В6. Показано, що радіаційно індуковані зміни поглинання обумовлені іонізацією нанокристалів А2В6 і перенесення заряду між ними та пастками у боросилікатному склі.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах