Гаркавенко О. С. Радиаційна модифікація електрофізичних і оптичних властивостей кристалів GaAs і CdS для створення на їх основі лазерів великої потужності

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0512U000445

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

25-05-2012

Спеціалізована вчена рада

Д 41.051.01

Одеський національний університет імені І.І.Мечникова

Анотація

В дисертації викладені і узагальнені нові наукові результати, на основі яких розвинена теорія і розроблені методи, пов'язані з фізичними процесами і явищами генерації когерентного випромінювання в оптично однорідних напівпровідникових кристалах, модифікованих за допомогою радіаційних технологій, що може дозволити створення потужних лазерів з накачуванням електронним пучком, що випромінюють у видимій та інфорчервоній областях спектру при сильно-струмових електронних потоках. В дисертації вперше розв'язані такі задачі, як експериментальний доказ прояву екситонно-плазмового фазового переходу Мотта, виведення фундаментальних рівнянь екситонного лазера, одержання умов формування інверсної заселенності рівнів і генерації когерентного випромінювання та розвиток теорії і технології створення немесбауерівського гамма-лазера.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах