Федосов С. А. Властивості багатодолинних напівпровідників зі структурними дефектами технологічного і радіаційного походження

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0513U000183

Облікова картка дисертації

0513U000183.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

14-02-2013

Спеціалізована вчена рада

Д 32.051.01

Анотація

Створено методики обчислення констант деформаційного потенціалу та коефіцієнтів, які визначаються ступенем заповнення глибокого рівня, й оцінено їх значення для n-Ge та n-Si з глибокими енергетичними рівнями. Досліджено вплив шаруватих періодичних неоднорідностей в об'ємі монокристалу на кінетичні ефекти антимоніду кадмію та гамма-опромінених різними дозами n-Ge та n-Si. Встановлено характер впливу гамма-опромінення на явища переносу та закономірності швидкості утворення радіаційних дефектів у CdSb n- і p-типу провідності.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах