Федоренко Л. Л. Лазерно-стимульовані масоперенос та структурні перетворення в приповерхневих шарах кристалів

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0514U000478

Облікова картка дисертації

0514U000478.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

25-06-2014

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.02

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

У дисертації представлені результати досліджень лазерно-стимульованих масопереносу та структурних перетворень приповерхневих шарів кристалів в твердій фазі при дії наносекундних імпульсів. Показано, що аномальний транспорт атомів домішки в широкому класі напівпровідників (InSb, Si, CdTe, CdZnTe, SiC) обумовлений ефектом лазерного термоудару внаслідок впливу сильних градієнтів температури та тиску. Встановлено, що напрямок міграції домішки визначається співвідношенням ковалентних радіусів атомів домішки та основної речовини. Запропоновано нову концепцію, визначено механізми лазерно-стимульованої плазмонної нано-фрагментації тонких металевих шарів.

Читати повністю

Файли

Dis.pdf

aref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах