Петричук М. В. Електричний шум в структурах з низьковимірним електронним газом

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0515U000135

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

18-02-2015

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.02

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

Дисертаційна робота присвячена експериментальному визначенню впливу наявності низьковимірної провідності на параметри шумових процесів. Досліджено особливості поведінки шуму в субмікронних Si МОН польових транзисторах, в інверсному каналі яких має місце помітне квантування електронів по енергії, в AlGaN/GaN гетероструктурах з двовимірним каналом провідності, а також у вуглецевих нанотрубках і польових транзисторах на їх основі. Встановлено, що низькочастотний шум струму через одиночну молекулу викликаний конфігураційними флуктуаціями і є фундаментальною характеристикою системи.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах