Ніцук Ю. А. Оптичні та електрофізичні властивості монокристалів халькогенідів цинку, легованих іонами перехідних елементів

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0515U000252

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-03-2015

Спеціалізована вчена рада

Д41.051.01

Анотація

Дисертація присвячена з'ясуванню впливу домішок перехідних елементів на оптичні та електрофізичні властивості кристалів халькогенідів цинку, визначенню схеми оптичних переходів, а також параметрів і механізмів дифузії цих домішок в монокристалах ZnS, ZnSe, ZnTe. Вперше виявлені та ідентифіковані серії смуг поглинання, фотолюмінесценції та фотопровідності іонів Ti, V, Cr, Fe, Co, Ni у видимій і ближній ІЧ-області спектру. Розраховані параметри та встановлені механізми дифузії досліджуваних домішок в кристалах ZnS, ZnSe, ZnTe.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах