Притчин С. Е. Розробка технології виробництва підкладок арсеніду галію для виробів мікроелектроніки

Дисертація присвячена вирішенню актуальної науково-практичної проблеми - підвищенню якості підкладок GaAs шляхом розробки нової технології виготовлення підкладок, удосконалення математичних моделей, удосконалення методик, методів і пристроїв неруйнівного контролю якості підкладок у промислових умовах. За результатами математичного моделювання уточнено дані про значення механічних властивостей підкладок GaAs у довільних кристалографічних напрямках, визначено вплив величини залишкових напружень на константи пружності с11, с12, с44. Визначені умови, за яких забезпечується механічна стійкість підкладки GaAs при впливі на неї залишкових напруг. У роботі розроблено низку методик, пристроїв та удосконалено методи, зокрема: - методика, пристрій "Полярон - 4" та удосконалено метод неруйнівного контролю залишкових напружень у підкладках GaАs; - методика, пристрій "ТВ-Діслок 1" та удосконалено метод неруйнівного контролю густини дислокацій у підкладках GaАs; - методика, пристрій "АКІДП - 1" та удосконалено метод неруйнівного контролю відхилення від площинності підкладок GaАs. Розроблено пристрій контролю діаметра зливка в процесі його росту, який забезпечує точність контролю не менш ± 1.5 мм. Це дозволило за рахунок поліпшення роботи системи управління вирощуванням зменшити рівень залишкових напружень до значення менш ніж 40 МПа та густини дислокації менш ніж 1,3 х 105 см-2. Запропонована технологія виготовлення підкладок GaАs забезпечила підвищення якості підкладок GaАs, зокрема, зменшення рівня залишкових напружень на 10 %, зменшення щільності дислокацій на 12 %, зменшення відхилення від площинності підкладок не менш ніж на 20 % у порівнянні з існуючою технологією, що дозволяє збільшити відсоток виходу придатних приладів на 5-7 %.