Склярчук В. М. Електронні процеси в контактах металу з карбідом кремнія та телуровмісними сполуками

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0517U000058

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-12-2016

Спеціалізована вчена рада

Д76.051.01

Анотація

Робота присвячена встановленню закономірностей і механізмів протікання фізичних процесів у контактах метал-напівпровідник на основі сполук SiС, CdTe, Cd(Zn)Te, Cd(Mn)Te, Cd(Hg)Te, Hg3In2Te6 у зв'язку з параметрами матеріалів і структур. Для кожного матеріалу встановлено препаративні умови, при яких отримуються випрямляючі структури без "мікроплазмового" пробою, "тунельно-прозорим" діелектричним прошарком і нехтувано малими крайовими ефектами.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах