Білинський І. В. Електронні, діркові та екситонні стани у гетеросистемах з квантовими точками

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0517U000810

Облікова картка дисертації

0517U000810.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-09-2017

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Визначено відносний показник заломлення та коефіцієнт міжрівневого поглинання світла, що зумовлений переходами домішкового електрона з основного у перший збуджений стан від частоти падаючого кванта світла. Побудовано теорію енергетичного спектра електрона КТ з двома зарядженими йонами донорів при різних відстанях їх до центра КТ. Побудовано послідовну теорію енергетичного спектра і хвильових функцій екситону в двох тунельно-зв'язаних КТ циліндричної форми для структури CdS/? - HgS.

Читати повністю

Файли

Dis.doc

aref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах