Малик О. П. Явища переносу в напівпровідниках AIIBVI та AIIІBV на основі близькодіючих моделей розсіяння носіїв заряду

Дисертація присвячена застосуванню принципу близькодії до опису процесів розсіяння носіїв заряду на дефектах кристалічної гратки. У разі розсіянні носія заряду на акустичному та неполярному оптичному фононах, нейтральному дефекті та потенціалі статичної деформації радіус дії близькодіючого потенціалу обмежений однією елементарною коміркою. У випадку розсіяння носія заряду на іонізованій домішці, полярному оптичному, п’єзоелектричних (п’єзоакустичному та п’єзооптичному) фононах радіус дії близькодіючого потенціалу шукали у вигляді R = γ a0 ( а0 – стала гратки, γ — відповідний підгінний параметр). Для розрахунку компонентів тензора провідності використано метод точного розв’язку стаціонарного рівняння Больцмана. Розраховано температурну залежність рухливості носіїв заряду в кристалах CdxHg1-xTe (0≤x≤1), CdxHg1-xSe (0≤x≤0.547), ZnxCd1-xTe (0≤x≤1), ZnxHg1-xSe (0.02≤x≤1), ZnxHg1-xTe (x=0.15), ZnO, GaN, CdS, InN, InSb. Розглянуто вплив різних механізмів розсіяння на рухливість носія заряду. Виявлено добру узгодженість теорії та експерименту в всьому розглянутому інтервалі температур. Визначено параметри розсіяння γ для різних механізмів розсіяння.