Молнар О. О. Релаксаційні явища у кристалах фосфоровмісних халькогенідів з різним типом дипольного упорядкування

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0519U000515

Облікова картка дисертації

0519U000515.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

07-06-2019

Спеціалізована вчена рада

Д 61.051.01

ДВНЗ "Ужгородський національний університет"

Анотація

Дисертаційна робота присвячена вивченню проявів релаксаційних явищ в діелектричних, електрофізичних і оптичних властивостях та спектрах комбінаційного розсіювання світла кристалів фосфоровмісних халькогенідів з об’ємною, шаруватою та ланцюжковою структурою та різним типом дипольного упорядкування (сегнетоелектричним, антисегнетоелектричним, сегнетиелектричним, станом дипольного скла, іонною провідністю, неспівмірною (НС) фазою та станом квантового параелектрика).

Читати повністю

Файли

05271965_disertatsiya_molnar.pdf

autoreferat--05021171_avtoreferat_oomolnar.pdf

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах