Ходаковський М. І. Методи та моделі побудови запам'ятовуючих пристроїв з використанням нано- і молекулярних технологій

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0519U000685

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.01 - Твердотільна електроніка

24-09-2019

Спеціалізована вчена рада

Д 26.002.08

Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" Інститут енергозбереження та енергоменеджменту

Анотація

Дисертаційна робота присвячена вирішенню науково-прикладної проблеми побудови запам’ятовуючих пристроїв з використанням нано- і молекулярних технологій шляхом розробки нового класу запам'ятовуючих пристроїв із надвисокою щільністю запису інформації на основі методів та моделей нових та вдосконалених існуючих методів твердотільної електроніки. Розроблено методи побудови запам'ятовуючих пристроїв з використанням скануючої тунельної літографії, локального зондового окислення із застосування атомно-силової літографії, технологій створення мемристорних наноелектронних структур та на основі запису інформації на молекулярні носії, зокрема пептидні структури та структури молекулярної електроніки з використанням нуклеїнових кислот. Розроблені методи, моделі та методики розробки запам'ятовуючих елементів та пристроїв із надвисокою щільністю запису інформації можуть бути використані при відпрацюванні технологічних процесів по їх виготовленню. Нові наукові та технологічні рішення забезпечують збільшення щільності запису інформації на 1–2 порядки при створенні запам’ятовуючих структур та пристроїв на їх основі.

Файли

Схожі дисертації