Майструк Е. В. Електронні процеси у напівмагнітних та радіаційно стійких складних халькогенідних напівпровідниках та гетероструктурах на їх основі

В дисертації експериментально встановлено технологічні умови виготовлення кристалів та тонких плівок: напівмагнітних твердих розчинів на основі халькогенідів А(ІІ)В(VI); радіаційно стійких твердих розчинів і сполук (3А(ІІ)В(VI))1-x(C(III)2B(VI)3)х; сполук А(І)2В(ІI)С(ІV)D(VI)4. Досліджено фізичні властивості кристалів та тонких плівок напівмагнітних та радіаційно стійких складних халькогенідних напівпровідників та вплив на ці властивості різних факторів: температури, магнітного поля, опромінення високоенергетичними частинками. Створено гетероструктури методом реактивного магнетронного розпилення на постійному струмі тонких плівок оксидів і нітридів металів на підкладки виготовлені зі радіаційно стійких складних халькогенідних напівпровідників. Створено гетероструктури методом ВЧ-магнетронного розпилення складних халькогенідних напівпровідників на підкладки кремнію, телуриду кадмію. Проведено дослідження електричних та фотоелектричних властивостей створених гетероструктур.