Солован М. М. Електронні явища в планарних та наноструктурованих поверхнево-бар’єрних структурах на основі кремнію, кремнієвмісних та халькогенідних сполук.

Дисертація присвячена дослідженню оптимальних умов виготовлення планарних і наноструктурованих гетеропереходів та діодів Шотткі з заданими і відтворюваними електричними та фотоелектричними властивостями; встановленню закономірностей протікання фізичних процесів у створених фоточутливих структурах в залежності від особливостей конструкції і технологічних процесів. В дисертаційній роботі вперше виготовлено та досліджено на основі кремнію, на поверхні якого створені нанодроти, фоточутливі наноструктуровані гетероструктури МоОx/n-Si, МоN/n-Si, ТіN/p-Si, діоди Шотткі Nі/n-Si й Mo/n-Si, а на основі низькоомного CdTe гетеропереходи МоОx/n-CdTe(CdZnTe), а також виготовлено ряд детекторів ультрафіолетового випромінювання на основі SiC та детекторів X/γ-випромінювання на основі високоомного CdTe. Запропоновано модель, яка пояснює зростання послідовного опору та зміну концентрації легуючої домішки у базовій області кремнію з інтеркальованими наночастками срібла, а також запропоновані методи визначення активної площі наноструктурованих бар'єрних структур та концентрації нескомпенсованої домішки в напівізолюючому CdTe.