Дружинин А. А. Структурные превращения в полупроводниках под воздействием лазерного излучения и их использование для создания микроэлектронных приборов

Объект исследования: Полупроводниковые материалы типа поли- и на диэлектрических подкладках и собственно дефектные твердые растворы CoHoTe. Цель исследования: Установление закономерностей структурных преобразований под действием лазерного излучения и разработка технологии создания приборов. Методы исследования и аппаратура: Исследование структурных и электрофизических свойств материалов, применение тестовых структур и элементов MOH IC. Теоретические результаты и новизна: Установлены закономерности структурных преобразований под действием лазерного излучения в н/п с разной химической стойкостью. Практические результаты и новизна: Разработаны технологии создания микроэлектронных приборов с использованием лазерного излучения и испытаны. Предмет и степень внедрения: Технологии и методы создания приборов внедрены на предприятиях. Эффективность внедрения: Экономическая эффективность от внедрения составляет 960 тыс.крб. в год на 31.12.1991 г. Сфера (область) использования: Микроэлектронное приборостроение.