Король А. М. Резонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв'язані з ним ефекти

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0599U000133

Облікова картка дисертації

0599U000133.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-04-1999

Спеціалізована вчена рада

Д26.001.31

Анотація

В дисертації досліджується роль глибоких домішкових центрів та явища резонансного тунелювання за участю глибоких станів в фізичних процесах в сучасних напівпровідникових структурах. Мета полягає в тому, щоб показати, що за допомогою глибоких домішок можна конструктивно, в широких межах регулювати характеристики зазначених об'єктів. Методами функцій Гріна та трансферних матриць розраховано та проаналізовано тунельні та енергетичні спектри таких напівпровідникових структур, як невпорядковані, квазіперіодичні, альтерновані надгратки, дво- і трибар'єрні тунельно-резонансні структури, мезоскопічні кристали, квантові хвильоводи та ін.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах